ICP等離子刻蝕機的工作原理基于利用射頻電源在反應室內產生高密度的等離子體，這些等離子體包含大量的活性粒子，如離子、電子、自由基等。在強電場的作用下，這些活性粒子與被加工的材料表面發生物理或化學反應，從而實現材料的去除。
1.高密度等離子體源：采用感應耦合方式產生高密度等離子體，提高了刻蝕速率和均勻性。
2.良好的各向異性：由于等離子體的方向性較強，ICP刻蝕機能夠實現高各向異性的刻蝕，有利于深寬比大的微結構的制備。
3.寬工藝窗口：ICP刻蝕機能夠在較寬的工藝范圍內保持穩定的刻蝕性能，適應不同材料和結構的加工需求。
4.精確控制：通過調節射頻功率、氣體流量、反應室壓力等參數，可以精確控制刻蝕速率和刻蝕剖面。
5.兼容性好：可兼容多種材料體系，包括硅、化合物半導體、金屬及介質材料等。
ICP等離子刻蝕機的應用領域：
1.微電子制造：在集成電路制造中，用于硅、氮化硅、氧化硅等多種材料的刻蝕，以形成微小的電子元件和互連結構。
2.光電子學：用于光子晶體、波導等光學元件的制備，滿足高精度和高可靠性的要求。
3.MEMS/NEMS：在微機電系統和納機電系統中，用于制造復雜的三維結構和運動部件。
4.先進封裝：用于芯片級和晶圓級的先進封裝技術，如TSV（Through-SiliconVia）和3D集成。
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更新時間：2024-10-26 
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