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Nano-Master的遠程微波等離子體化學氣相沉積(PECVD)系統(tǒng)應用范圍廣泛,包含:
基片或粉體的等離子誘導表面改性
等離子清洗
粉體或顆粒表面等離子聚合
SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜
CNT和石墨烯的選擇性生長
單晶或多晶金剛石生長
微波模塊:NANO-MASTER高質(zhì)量長壽命遠程微波源,頻率為2.45GH,微波發(fā)射功率可以自主調(diào)節(jié),微波反射功率可通過調(diào)節(jié)降低至發(fā)射功率的千分之一以內(nèi)。遠程微波源,可實現(xiàn)無損傷缺陷的沉積或生長。
設(shè)備腔體:水冷側(cè)壁,確保在高溫工藝下腔體外表面溫度控制在60℃內(nèi);在高溫工藝進行過程中,等離子體被束縛在有限的體積內(nèi),不會對腔體造成刻蝕。
樣品臺:可自動加熱到最高1200℃,PID精確控制,精度±1℃,跟微波電源的加熱獨立。高溫工藝下可持續(xù)旋轉(zhuǎn),主動冷卻。具有自動升降功能,可針對自動Load Unload下降樣品臺便于片托自動取出。
溫度模塊:通過系統(tǒng)參數(shù)實現(xiàn)襯底溫度精確控制,在穩(wěn)定的工藝過程中溫度浮動不超過±10℃。利用雙波長高溫計實現(xiàn)對襯底的非接觸式溫度測量;樣品臺內(nèi)部通過熱電偶測量。
氣體控制:根據(jù)需求最多可配置8路工藝氣體,配備吹掃氣路,利用氮氣或是氬氣對管路吹掃。淋浴頭和氣體環(huán)均勻設(shè)計,使得氣體在高溫工作狀態(tài)下成分均一,流速穩(wěn)定,不會對襯底造成擾動。
真空模塊:腔室的極限真空度可達1*10-5Pa
樣品傳送模塊:系統(tǒng)可以支持自動Load Lock實現(xiàn)計算機控制的自動進樣和出片
控制模塊:配備計算機控制系統(tǒng),詳細記錄工藝過程中各項參數(shù)。具備安全互鎖功能及4級密碼授權(quán)訪問控制。
以遠程微波PECVD系統(tǒng)沉積金剛石薄膜為例,從甲烷、氫氣或氬氣的氣體混合物中將多晶金剛石薄膜沉積到襯底上。沉積過程中的基片溫度通常為800~900°C,通過雙波長高溫計測量。甲烷、氫氣和氬氣的濃度、功率和壓力值可以改變,以產(chǎn)生各種金剛石膜紋理。因金剛石的許多特性:如化學惰性和穩(wěn)定性,高導熱性,高聲速,高斷裂強度,疏水性,耐磨性,生物惰性,其表面可功能化,并涂覆保形性等,使其成為許多應用的選擇。應用包括MEMS/NEMS器件、摩擦學(機械和生物部件涂層)、熱(散熱器/擴散器)、切割工具、輻射傳感器(電離輻射探測器/劑量計)、電化學應用(生化傳感器)、光學(紅外窗口、透鏡、X射線窗口)和離子束剝離箔。
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